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MBRS3100T3G_V01

SurfaceMountSchottkyPowerRectifier

ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-6-11 17:56:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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只做进口原装,终端工厂免费送样
FAIRCHILD
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代理全新原装现货,价格优势
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只做原装支持实单,有单必成。

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