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MBRS3100T3G_V01

SurfaceMountSchottkyPowerRectifier

ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-6-15 16:50:00
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