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MBRS1540T3_V01

SurfaceMountSchottkyPowerRectifierSMBPowerSurfaceMountPackage

ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleina metal−to−siliconpowerrectifier.Featuresepitaxialconstructionwith oxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlow voltage,highfrequencyswitchingpowersupplies;freewheeling diodesandpolarityprotectiondio

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-7-31 20:59:00
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