型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MBR835RL

AxialLeadRectifiers

AxialLeadRectifiers ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinvert

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MBR835RL

封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 包装:散装 描述:DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO201AD 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

PCMount,Shocksafe5x20mmFuses

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LittelfuseLittelfuse Inc.

力特力特公司

Littelfuse

PCMount,Shocksafe5x20mmFuses

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LittelfuseLittelfuse Inc.

力特力特公司

Littelfuse

PanelMount,for5x20mmFuses

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LittelfuseLittelfuse Inc.

力特力特公司

Littelfuse

PanelMount,ShocksafeSnap-InType,5x20mmFuses

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LittelfuseLittelfuse Inc.

力特力特公司

Littelfuse

PCBmount,verticalfor5x20mmFuses

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LittelfuseLittelfuse Inc.

力特力特公司

Littelfuse

MBR835RL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MBR835RL

  • 功能描述

    DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO201AD

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    100

  • 系列

    -

  • 二极管类型

    标准 电压

  • -(Vr)(最大)

    50V 电流 -

  • 平均整流(Io)

    6A 电压 - 在 If

  • 时为正向(Vf)(最大)

    1.4V @ 6A

  • 速度

    快速恢复 = 200mA(Io)

  • 反向恢复时间(trr)

    300ns 电流 - 在 Vr

  • 时反向漏电

    15µA @ 50V 电容@ Vr,

  • F

    -

  • 安装类型

    底座,接线柱安装

  • 封装/外壳

    DO-203AA,DO-4,接线柱

  • 供应商设备封装

    DO-203AA

  • 包装

    散装

  • 其它名称

    *1N3879

更新时间:2024-4-19 17:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装正品,支持实单
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