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位置：首页 > IC中文资料第10653页 > MBR8100L

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MBR8100L

8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtection

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
MBR8100L

WideTemperatureRangeandHighTjmSchottkyBarrierRectifiers

FEATURES *Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton *Guardringfortransientprotection *Lowpowerloss,highefficiency *Highcurrentcapability,lowVF *Highsurgecapacity *Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotectionapplica

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司

SIRECTIFIER
MBR8100L

SchottkyBarrierChip

Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtection

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
MBR8100L

HighTjmLowIRRMSchottkyBarrierDiodes

文件：89.85 Kbytes Page：2 Pages

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司

SIRECTIFIER
ADL8100

GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.01GHzto20GHz

GENERALDESCRIPTION TheADL8100isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),widebandlownoiseamplifier(LNA)thatoperates from0.01GHzto20GHz.TheADL8100providesatypical gainof20dBat0.01

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
ADL8100ACPZN

GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.01GHzto20GHz

GENERALDESCRIPTION TheADL8100isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),widebandlownoiseamplifier(LNA)thatoperates from0.01GHzto20GHz.TheADL8100providesatypical gainof20dBat0.01

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
ADL8100-EVALZ

GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.01GHzto20GHz

GENERALDESCRIPTION TheADL8100isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),widebandlownoiseamplifier(LNA)thatoperates from0.01GHzto20GHz.TheADL8100providesatypical gainof20dBat0.01

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
8100

T1/CEPTISDNPRITransformers

文件：84.67 Kbytes Page：1 Pages

FILTRAN

FILTRAN Group

FILTRAN
AEDR-8100

ReflectiveSurfaceMountOpticalEncoder

文件：138.89 Kbytes Page：10 Pages

AVAGOAvago

安华高安华高科技

AVAGO

MBR8100L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MBR8100L

  • 制造商

    SIRECTIFIER

  • 制造商全称

    Sirectifier Semiconductors

  • 功能描述

    Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers

MBR8100L供应商更多...

更新时间：2024-5-11 8:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳兆威电子有限公司
MBR8100肖特基二极管
MCC/美微科
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MBR8100L
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MBR8100L
MCC
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TO-220
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MBR8100L
MCC-美微科
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TO220
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深圳市锦喆鸿电子有限公司
MBR8150
MDD
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TO-220AC
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MBR8150
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深圳市国宇半导体科技有限公司
MBR8100L
MCC/美微科
23+
TO-220
10000
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深圳市河锋鑫科技有限公司
MBR8100L
MCC
22+
TO-220
6000
十年配单,只做原装
询价

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