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位置：首页 > IC中文资料第5340页 > MBR60060CT

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MBR60060CT

HIGHPOWER-SCHOTTKYRECTIFIERS

文件：599.59 Kbytes Page：2 Pages

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

AMERICASEMI
MBR60060CT

SiliconPowerSchottkyDiode

文件：722.3 Kbytes Page：3 Pages

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

GENESIC
MBR60060CT

封装/外壳：双塔架 包装：散装 描述：DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

GENESIC
MBR60060CTR

封装/外壳：双塔架 包装：散装 描述：DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

GENESIC
MBR60060CTR

SiliconPowerSchottkyDiode

文件：722.3 Kbytes Page：3 Pages

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

GENESIC
MBR60060CTR

HIGHPOWER-SCHOTTKYRECTIFIERS

文件：599.59 Kbytes Page：2 Pages

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

AMERICASEMI
BM60060FV-C

IsolationVoltage2500Vrms1chGateDriverProvidingGalvanicIsolation

GeneralDescription TheBM60060FV-Cisagatedriverwithanisolation voltageof2500Vrms.IthasanI/Odelaytimeof210 ns,minimuminputpulsewidthof90ns,and incorporatesthefaultsignaloutputfunction,under voltagelockout(UVLO)function,shortcircuitprotection (SCP,built-

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
CGH60060D

60W,6.0GHz,GaNHEMTDie

Description Wolfspeed’sCGH60060Disagalliumnitride(GaN)HighElectronMobility Transistor(HEMT).GaNhassuperiorpropertiescomparedtosiliconorgallium arsenide,includinghigherbreakdownvoltage,highersaturatedelectrondrift velocity,andhigherthermalconductivity.GaNHEMTso

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

WOLFSPEED
BP60060

70MHzBandpassSAWFilter

文件：54.22 Kbytes Page：1 Pages

VANLONGVanlong Technology Co., Ltd.

万隆科技万隆科技股份有限公司

VANLONG
CGH60060D

60W,6.0GHz,GaNHEMTDie

文件：618.74 Kbytes Page：7 Pages

CreeCree, Inc

科锐

Cree
CPT60060

SCHOTTKYPOWERMOD

文件：156.67 Kbytes Page：2 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

MBR60060CT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MBR60060CT

  • 功能描述

    肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 60P42RV

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 产品

    Schottky Diodes

  • 峰值反向电压

    2 V

  • 正向连续电流

    50 mA

  • 配置

    Crossover Quad

  • 正向电压下降

    370 mV

  • 最大功率耗散

    75 mW

  • 工作温度范围

    - 65 C to + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-143

  • 封装

    Reel

MBR60060CT供应商更多...

更新时间：2025-7-31 18:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威雅利发展有限公司
MBR60100
PEC
09+
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GeneSiC Semiconductor
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MBR60100
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MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
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MBR60060CT
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600A60V
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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MBR60060CT
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标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
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GeneSiC Semiconductor
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TO-247
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MBR60060CT
GeneSiC Semiconductor
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MBR60060CT
IXFN
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module
48000
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站
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