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MBR130LSFT1G_V01

SchottkyPowerRectifier,SurfaceMount1.0A,30V,SOD−123Package

ThisdeviceusestheSchottkyBarrierprinciplewithalargearea metal−to−siliconpowerdiode.Ideallysuitedforlowvoltage,high frequencyrectificationorasfreewheelingandpolarityprotection diodesinsurfacemountapplicationswherecompactsizeandweight arecriticaltothesystem

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-5-20 13:59:00
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