型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MB85R256FPFCN-G-BNDE1

256 K (32 K x 8) Bit

DESCRIPTIONS The MB85R256F is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 32,768 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. The MB85R256F is able to retain data without using

RAMXEED

富士通

MB85R256FPFCN-G-BNDE1

封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC FRAM 256KBIT PAR 28TSOP I 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

MB85R256FPFCN-G-BNDE1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MB85R256FPFCN-G-BNDE1

  • 功能描述

    IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    闪存

  • 存储器类型

    闪存 - NAND

  • 存储容量

    4G(256M x 16)

  • 速度

    -

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作温度

    0°C ~ 70°C

  • 封装/外壳

    48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)

  • 供应商设备封装

    48-TSOP I

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    557-1461-6

更新时间:2025-11-1 9:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Fujitsu
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