位置：首页 > IC中文资料第2961页 > MAZ40200LF
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MAZ40200LF | 封装/外壳：DO-204AG，DO-34，轴向 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE ZENER 2V 370MW DO34 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 | PanasonicElectronicComponents Panasonic Electronic Components |  |   |
200 W, 50 V, GaN HEMT Description Wolfspeed's CGHV40200PP is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGHV40200PP, operating from a 50 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, hi | WOLFSPEED WOLFSPEED, INC. |  | | |
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 文件：2.24179 Mbytes Page：3 Pages | SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司 |  | | |
200 W, 50 V, GaN HEMT 文件：713.21 Kbytes Page：13 Pages | CreeCree, Inc 科锐 |  | | |
40Amp Schottky Rectifier 文件：145.78 Kbytes Page：2 Pages | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 |  | | |
8PIN PHOTODARLINGTON PHOTOCOUPLER 文件：280.56 Kbytes Page：11 Pages | COSMOCOSMO Electronics Corporation 冠西电子冠西电子企业股份有限公司 | COSMO | |
MAZ40200LF产品属性
- 类型
描述
- 型号
MAZ40200LF
- 功能描述
DIODE ZENER 2V 370MW DO-34
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
- 系列
-
- 标准包装
1
- 系列
- 电压 -
- 齐纳（标称）(Vz)
36V 电压 - 在 If
- 时为正向(Vf)（最大）
900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr
- 时反向漏电
100nA @ 27V
- 容差
±5% 功率 -
- 最大
200mW
- 阻抗（最大）(Zzt)
70 欧姆
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装
SOT-323
- 包装
剪切带(CT)
- 工作温度
-65°C ~ 150°C
- 产品目录页面
1585(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PANASONIC/松下 |
23+ |
NA |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
Panasonic-SSG |
24+ |
DO-34Axial |
7500 |
||||
PANASONIC |
1809+ |
DO-34 |
6675 |
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2021-3-5MB10FH5G0NL
属性 参数值 商品目录 整流桥 反向峰值电压 1000V 平均整流电流（Io） 800mA 正向压降（Vf） 1V @ 800mA
2020-9-4MB1512EF全新原装现货
可立即发货
2019-9-24MAXREFDES37#界面开发工具
MAXREFDES37#界面开发工具
2019-5-21
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