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M8550LT1G

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HIGH VOLTAGE TRANSISTOR: (PNP)

FEATURES Die Size 0.44*0.44mm Power dissipation PCM : 225mW(Tamb=25℃) Collector current ICM : 0.5A Collector-base voltage V(BR)CBO : 40V

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永盛电子

General Purpose Transistors PNP Silicon

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乐山无线电

General Purpose Transistors PNP Silicon

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更新时间:2025-9-26 9:41:00
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