型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
M68AW128ML70ND1

2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

FEATURES SUMMARY ■ SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.3V ■ 128K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE ■ EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns ■ SINGLE BYTE READ/WRITE ■ LOW STANDBY CURRENT ■ LOW VCC DATA RETENTION: 1.5V ■ TRI-STATE COMMON I/O ■ AUTOMATIC POWER DOWN

STMICROELECTRONICS

意法半导体

M68AW128ML70ND1

2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

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2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

FEATURES SUMMARY ■ SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.3V ■ 128K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE ■ EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns ■ SINGLE BYTE READ/WRITE ■ LOW STANDBY CURRENT ■ LOW VCC DATA RETENTION: 1.5V ■ TRI-STATE COMMON I/O ■ AUTOMATIC POWER DOWN

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M68AW128ML70ND1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    M68AW128ML70ND1

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 2M(128Kx16) 70ns

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-8-9 18:43:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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