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M59DR008E120N1T

8Mbit512Kbx16,DualBank,PageLowVoltageFlashMemory

DESCRIPTION TheM59DR008isan8Mbitnon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasisusinga1.65Vto2.2VVDDsupplyforthecircuitry.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

M59DR008E120N1T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    M59DR008E120N1T

  • 制造商

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory

更新时间:2024-5-31 8:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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