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M58LW064ANH	64Mbitx16andx16/x32,BlockEraseLowVoltageFlashMemories DESCRIPTION TheM58LW064isanon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemona16Wordor8Double-Wordbasisusinga2.7Vto3.6Vsupplyforthecircuitandasupplydownto1.8VfortheInputandOutputbuffers.TheM58LW064Aisorganise	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M58LW064	64Mbitx16andx16/x32,BlockEraseLowVoltageFlashMemories DESCRIPTION TheM58LW064isanon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemona16Wordor8Double-Wordbasisusinga2.7Vto3.6Vsupplyforthecircuitandasupplydownto1.8VfortheInputandOutputbuffers.TheM58LW064Aisorganise	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M58LW064A	64Mbitx16andx16/x32,BlockEraseLowVoltageFlashMemories DESCRIPTION TheM58LW064isanon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemona16Wordor8Double-Wordbasisusinga2.7Vto3.6Vsupplyforthecircuitandasupplydownto1.8VfortheInputandOutputbuffers.TheM58LW064Aisorganise	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M58LW064ANF	64Mbitx16andx16/x32,BlockEraseLowVoltageFlashMemories DESCRIPTION TheM58LW064isanon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemona16Wordor8Double-Wordbasisusinga2.7Vto3.6Vsupplyforthecircuitandasupplydownto1.8VfortheInputandOutputbuffers.TheM58LW064Aisorganise	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M58LW064AT	64Mbitx16andx16/x32,BlockEraseLowVoltageFlashMemories DESCRIPTION TheM58LW064isanon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyattheblocklevelandprogrammedin-systemona16Wordor8Double-Wordbasisusinga2.7Vto3.6Vsupplyforthecircuitandasupplydownto1.8VfortheInputandOutputbuffers.TheM58LW064Aisorganise	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

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更新时间：2024-5-25 15:20:00

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深圳市创新迹电子有限公司	M58LW064C-110ZA6	ST/意法	22+	BGA	18000	只做全新原装,支持BOM配单,假一罚十	询价
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2021-4-12
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M62342HP
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2020-11-13
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