型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
M470T6554BG3-CD5/CC

200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC

Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3 and 4 • Write Latency(WL) = Re

Samsung

三星

200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC

Features • Performance range • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin • 4 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 • Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3 and 4 • Write Latency(WL) = Re

Samsung

三星

M470T6554BG3-CD5/CC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    M470T6554BG3-CD5/CC

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC

更新时间:2025-11-18 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MREL/麦瑞
24+
NA/
6184
原装现货,当天可交货,原型号开票
SAMSUNG(三星半导体)
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SAMSUNG/三星
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BGA
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只做原装,欢迎来电资询
SAMSUNG/三星
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BGA
35372
只做原装 公司现货库存
SAMSUNG(三星)
23+
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
MICROCHIP/微芯
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OKI
24+
2300
SMART
0644
DDR2SO-DIMM/512MBDDR2SO/
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1983
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