| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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M3200_V02 | Pressure Transducer 文件：392.99 Kbytes Page：10 Pages | TEC 泰科电子 |   | |
Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol | ONSEMI 安森美半导体 | |
更新时间：2025-10-30 18:23:00
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