| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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M3200_V02 | Pressure Transducer 文件：392.99 Kbytes Page：10 Pages | TEC 泰科电子 |   | |
Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol | ONSEMI 安森美半导体 | |
更新时间：2025-10-31 16:50:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
25+23+ |
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RENESAS |
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MITSUBIS |
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MIT |
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