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M29W160DB70N1	16Mbit(2Mbx8or1Mbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory SUMMARYDESCRIPTION TheM29W160Disa16Mbit(2Mbx8or1Mbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamew	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
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M29W160DB70N1F	16Mbit(2Mbx8or1Mbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory SUMMARYDESCRIPTION TheM29W160Disa16Mbit(2Mbx8or1Mbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamew	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
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M29W160DB70N1T	16Mbit(2Mbx8or1Mbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory SUMMARYDESCRIPTION TheM29W160Disa16Mbit(2Mbx8or1Mbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamew	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

M29W160DB70N1产品属性

类型
描述
型号
M29W160DB70N1
功能描述
电可擦除可编程只读存储器 2Mx8 or 1Mx16 70ns
RoHS
否
制造商
Atmel
存储容量
2 Kbit
组织
256 B x 8
数据保留
100 yr
最大时钟频率
1000 KHz
最大工作电流
6 uA
工作电源电压
1.7 V to 5.5 V
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
SOIC-8

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更新时间：2025-6-2 18:30:00

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2021-2-22
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