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M29F200T-70M6TR

2Mbit256Kbx8or128Kbx16,BootBlockSingleSupplyFlashMemory

DESCRIPTION TheM29F200isanon-volatilememorythatmaybeerasedelectricallyattheblockorchiplevelandprogrammedin-systemonaByte-by-ByteorWordby-Wordbasisusingonlyasingle5VVCCsupply.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally.Thed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

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更新时间:2024-5-22 18:24:00
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