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M28F101-120XN6

1Mb128Kx8,ChipEraseFLASHMEMORY

DESCRIPTION TheM28F101FLASHMemoryisanon-volatilememorywhichmaybeerasedelectricallyatthe chiplevelandprogrammedbyte-by-byte.Itisorganisedas128Kbytesof8bits.Itusesacommandregisterarchitecturetoselecttheoperatingmodesandthusprovidesasimplemicroprocess

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2025-7-24 16:55:00
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