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零件状态 停产 FET 类型 P 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 205 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA

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