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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS

Designed for use in high−power amplifier and switching circuit applications. Features • High Current Capability − IC Continuous = 60 Amperes • DC Current Gain − hFE = 15−100 @ IC = 50 Adc • Low Collector−Emitter Saturation Voltage −VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC = 50 Adc • Pb−Free Pa

ONSEMI

安森美半导体

60 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS 60-80 VOLTS 300 WATTS

High-Current Complementary Silicon Power Transistors . . . designed for use in high–power amplifier and switching circuit applications, • High Current Capability — IC Continuous = 60 Amperes • DC Current Gain — hFE = 15–100 @ IC = 50 Adc • Low Collector–Emitter Saturation Voltage —

MOTOROLA

摩托罗拉

Common Mode Inductors

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RHOMBUS-IND

SAW Filter Electrical Characteristic

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SIPAT

胜普电子

Ethernet Application Transformers

文件:35.25 Kbytes Page:1 Pages

RHOMBUS-IND

更新时间:2026-7-31 22:50:01
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