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N-ChannelEnhancementModeHighdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily

Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ●FastintrinsicRectifier Applications ●DC-DCconverters ●Batteryc

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

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DACO

DACO

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N-ChannelEnhancementModeMOSFET

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DACO

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N-ChannelEnhancementModeMOSFET

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DACO

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更新时间:2024-6-23 15:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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TO-247
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Littelfuse/IXYS
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TO-247
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

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