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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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LTC1261CMS8-4.5 | LTC1261CMS8-4.5 |   |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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LTC1261CS8-4.5,全新.当天发货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-5-23LTC1261IS8
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2021-5-23LTC1060ACN，LTC1865LIMS，LT3430EFE-1，lt1963aes8，LT1761ES5-3.3，LT1930AES5#TRMPBF，LT1120ACS8，LP3982ILD-ADJ，LP2981AIM5-3.0/NOPB，LP2981-3.0，LNK614PG，LNK364PG，LMH6624MA
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2019-12-30LTC1261IS8【凌特品牌开关稳压器芯片】
LTC1261IS8
2019-11-20LTC1255I-双24V的高侧MOSFET驱动器
描述在LTC1255双高侧驱动器允许使用低成本N沟道场效应管的高边工业和汽车开关应用。内部电荷泵增强铁路正上方的栅极驱动电压，全面提高一个N沟道MOS开关无外部元件。低功耗操作，12mA电流待机电流，使几乎所有的系统与使用最高的效率。包括片上是独立的过流检测提供在短路情况下自动关机。一时间延迟可以被添加到当前意义防止高浪涌电流负载假触发。LTC1255工作在从9V至24V电源，并非常适用于工业和汽车应用。该LTC1255在这两个8引脚DIP和一8引脚SOIC封装。特点全面提升N沟道功率MOSFET12
2013-2-27LTC1154-高边MOSFET驱动器微
描述单一的LTC1154高边栅极驱动器允许使用低成本N沟道场效应管的高侧开关应用。内部电荷泵提升了栅极驱动电压上述积极铁路，充分提高一个N沟道MOS开关，无需外部元件。微操作，待机电流为8mA，并与工作电流达85mA，几乎所有的系统允许的最大使用效率。该芯片还包含可编程的过电流检测。一时间延迟可以被添加到防止假触发高浪涌电流负载。高有效的关断输入还提供了直接和接口标准PTC公司热敏电阻热关机。开漏输出报告提供的开关状态的国会议员。低有效使能输入可控制多台交换机在银行。该LTC1154备有8脚DIP和8脚SOIC包。特点全面提升N沟
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