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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
100kHz,5A,2.5Aand1.25AHighEfficiencySwitchingRegulators 文件：266.31 Kbytes Page：20 Pages | LINERLinear Technology 线性技术公司 |  |   |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LT |
21+ |
SOP8 |
28 |
原装现货。假一赔十 |
|||
LINEAR |
2016+ |
SOP8 |
17908 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
LINEAR |
2020+ |
SOP-8 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
LINEAR |
15+ |
8SOIC |
5 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
LINEAR |
21+ |
SOP8 |
9999999 |
原装正品现货/订货价格优惠可开票 |
|||
Analog Devices |
23+ |
8-LeadSOIC(Narrow0.1 |
33680 |
ADI优势主营型号-原装正品 |
|||
LT |
22+ |
SOP8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
LINEAR |
2020+ |
SOP8 |
35000 |
100%进口原装正品公司现货库存 |
|||
LINEAR |
23+ |
SOP8 |
20000 |
原厂原装正品现货 |
|||
LINEAR/凌特 |
22+ |
SOP-8 |
354000 |
LTC1172IS8芯片相关品牌
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2019-12-30LTC1255I-双24V的高侧MOSFET驱动器
描述在LTC1255双高侧驱动器允许使用低成本N沟道场效应管的高边工业和汽车开关应用。内部电荷泵增强铁路正上方的栅极驱动电压，全面提高一个N沟道MOS开关无外部元件。低功耗操作，12mA电流待机电流，使几乎所有的系统与使用最高的效率。包括片上是独立的过流检测提供在短路情况下自动关机。一时间延迟可以被添加到当前意义防止高浪涌电流负载假触发。LTC1255工作在从9V至24V电源，并非常适用于工业和汽车应用。该LTC1255在这两个8引脚DIP和一8引脚SOIC封装。特点全面提升N沟道功率MOSFET12
2013-2-27LTC1154-高边MOSFET驱动器微
描述单一的LTC1154高边栅极驱动器允许使用低成本N沟道场效应管的高侧开关应用。内部电荷泵提升了栅极驱动电压上述积极铁路，充分提高一个N沟道MOS开关，无需外部元件。微操作，待机电流为8mA，并与工作电流达85mA，几乎所有的系统允许的最大使用效率。该芯片还包含可编程的过电流检测。一时间延迟可以被添加到防止假触发高浪涌电流负载。高有效的关断输入还提供了直接和接口标准PTC公司热敏电阻热关机。开漏输出报告提供的开关状态的国会议员。低有效使能输入可控制多台交换机在银行。该LTC1154备有8脚DIP和8脚SOIC包。特点全面提升N沟
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