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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 24mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c | ISC 无锡固电 |   | ||
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 100V, ID= 40 A RDS(ON) | Bychip 百域芯 | | ||
N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 30 A, 24 m廓 文件：255.42 Kbytes Page：6 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 36 A, 24 m廓 文件：396.48 Kbytes Page：6 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓 文件：372.26 Kbytes Page：6 Pages | Fairchild 仙童半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
TO-252 |
10000 |
低于市场价,实单必成,QQ1562321770 |
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ONSemiconductor |
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NA |
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2020-7-28
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