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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=100V,ID=40A RDS(ON) | BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司 |  | | |
N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,30A,24m廓 文件：255.42 Kbytes Page：6 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | | |
N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,36A,24m廓 文件：396.48 Kbytes Page：6 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,35A,22.5m廓 文件：372.26 Kbytes Page：6 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2020-7-28
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