具升压型稳压器的半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器

LT®1336是一款成本效益型半桥式N 沟道功率 MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V (绝对最大值) 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。在 PWM 操作模式中，一个片内开关稳压器可保存自举电容器中的电荷，即使当接近和工作于 100% 占空比时也不例外。 内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特自适应保护功能电路取消了对两个MOSFET 的全部匹配要求。这极大地简化了高效率电动机控制和开关稳压器系统的设计。 在低供电电压或启动条件下，欠压闭锁电路将主动地把驱动器输出拉至低电平，以防止功率 • 工作电压高达 60V 的浮动顶端驱动器开关 \n\n• 用于 DC 操作的内部升压型稳压器 \n\n• 180ns 变换时间 (驱动 10,000pF) \n\n• 自适应非重叠栅极驱动可防止发生贯通 \n\n• 可把顶端 N 沟道 MOSFET 的栅极驱动至高于电源电压 \n\n• 在高占空比条件下保持顶端驱动 \n\n• TTL / CMOS 输入电平 \n\n• 具迟滞的欠压闭锁 \n\n• 工作电源电压范围：10V 至 15V \n\n• 单独的顶端和底端驱动引脚;

Half-Bridge N-Channel Power MOSFET Driver with Boost Regulator

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封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器

封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器

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Afterburner Chip

DESCRIPTION The DS1336 Afterburner Chip is designed to provide power switching between a primary power supply(VCC) and a backup battery power supply (VBAT). Five VCC and two battery paths are provided which can be used individually or in parallel to supply uninterrupted power in applications su