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LT1167CS8	SingleResistorGainProgrammable,PrecisionInstrumentationAmplifier 文件：426.87 Kbytes Page：20 Pages	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体
LT1167CS8	SingleResistorGainProgrammable,PrecisionInstrumentationAmplifier 文件：304.39 Kbytes Page：20 Pages	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体

LT1167CS8#PBF产品属性

类型
描述
型号
LT1167CS8#PBF
功能描述
IC PREC INSTRMNT-AMP PROG 8-SOIC
RoHS
是
类别
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列
-
标准包装
1
系列
-
放大器类型
通用
电路数
4
输出类型
满摆幅
转换速率
0.028 V/µs
增益带宽积
105kHz
-3db带宽
- 电流 -
输入偏压
3nA 电压 -
输入偏移
100µV 电流 -
电源
3.3µA 电流 -
输出/通道
12mA 电压 -
电源，单路/双路(±)
2.7 V ~ 12 V，±1.35 V ~ 6 V
工作温度
-40°C ~ 85°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
14-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
供应商设备封装
14-TSSOP
包装
剪切带(CT)
其它名称
OP481GRUZ-REELCT

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更新时间：2025-6-6 15:44:02

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LT1167CS8#TRPBF
进口代理
2022-10-20
LT1166CS8#PBF
www.58chip.com
2022-5-23
LT1172CS8
SMD/SMT开关稳压器,TPS62823开关稳压器,SOT-23-6开关稳压器,3.3V开关稳压器,5VTO-263-5LM2576开关稳压器,TPS61022开关稳压器
2021-11-17
LT1172IS8原装现货热卖
LT1172IS8开关稳压器1.25APwrSwReg100kHz
2021-2-3
LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFETVDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28
LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27

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