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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
LT1167AIN8 | Single Resistor Gain Programmable, Precision Instrumentation Amplifier 文件：426.87 Kbytes Page：20 Pages | LINER 凌力尔特 |   | |
LT1167AIN8 | Single Resistor Gain Programmable, Precision Instrumentation Amplifier 文件：304.39 Kbytes Page：20 Pages | LINER 凌力尔特 | |
LT1167AIN8产品属性
- 类型
描述
- 型号
LT1167AIN8
- 功能描述
IC PREC INSTRMNT-AMP PROG 8-DIP
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
- 系列
-
- 标准包装
150
- 系列
-
- 放大器类型
音频
- 电路数
2
- 输出类型
-
- 转换速率
5 V/µs
- 增益带宽积
12MHz
- -3db带宽
- 电流 -
- 输入偏压
100nA 电压 -
- 输入偏移
500µV 电流 -
- 电源
6mA 电流 -
- 输出/通道
50mA 电压 -
- 电源，单路/双路(±)
4 V ~ 32 V，±2 V ~ 16 V
- 工作温度
-40°C ~ 85°C
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装
8-TSSOP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LINEAR |
2016+ |
DIP8 |
2330 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
LINEAR |
24+ |
DIP8 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
LT |
21+ |
NA |
2 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ADI/亚德诺 |
20+ |
8-LeadPDIP(Narrow0.3 |
33680 |
ADI全新原装-可开原型号增税票 |
|||
LINEAR/凌特 |
25+ |
DIP-8 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
LINEAR |
1742+ |
PDIP |
6528 |
凌特全线代理部分!接受订货。只做原装正品假一赔十! |
|||
LINEAR |
DIP8 |
2330 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
LINEAR |
24+ |
DIP8 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
|||
LT |
25+ |
DIP8 |
2450 |
※※※原装大量库存特价销售※※※ |
|||
ADI |
24+ |
8-Lead PDIP (Narrow 0.3 Inch) |
4021 |
十年信誉,只做全新原装正品现货,以优势说话 !! |
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- lt15
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- LT1171I
- LT1171C
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- LT1170C
- LT1170
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- LT1168C
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- LT1167I
- LT1167CS8PBF
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LT1167CS8#TRPBF
进口代理
2022-10-20LT1166CS8#PBF
www.58chip.com
2022-5-23LT1172CS8
SMD/SMT 开关稳压器 , TPS62823 开关稳压器 , SOT-23-6 开关稳压器 , 3.3 V 开关稳压器 , 5 V TO-263-5 LM2576 开关稳压器 , TPS61022 开关稳压器
2021-11-17LT1172IS8原装现货热卖
LT1172IS8开关稳压器 1.25A Pwr Sw Reg 100kHz
2021-2-3LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述 作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
DdatasheetPDF页码索引
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