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位置：首页 > IC中文资料第1685页 > LT1162ISW#TR

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
LT1162ISW#TRPBF

封装/外壳：24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器

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亚德诺

AAT1162

12V, 1.5A Step-Down DC/DC Converter

General Description The AAT1162 is an 800kHz high efficiency step-down DC/DC converter. With a wide input voltage range of 4.0V to 13.2V, the AAT1162 is an ideal choice for dualcell Lithium-ion battery-powered devices and mid-power-range regulated 12V-powered industrial applications. The internal

ANALOGICTECH

Advanced Analogic Technologies

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SMT Breakout PCB for 44-QFN or 44-TQFP - 3 Pack!

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AMERICAN CORD SET, HOSPITAL GRADE NEMA 5-15P TO IEC 60320 C13; 250cm LONG

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POWERDYNAMICS

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Programmable Precision Hall-Effect Switch with Advanced Diagnostics

文件：656.49 Kbytes Page：23 Pages

ALLEGRO

AAT1162

12V, 1.5A Step-Down DC/DC Converter

文件：1.7889 Mbytes Page：18 Pages

ANALOGICTECH

Advanced Analogic Technologies

LT1162ISW#TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    LT1162ISW#TR

  • 功能描述

    IC DRIVER MOSF N-CH DUAL 24SOIC

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

  • 系列

    -

  • 标准包装

    5

  • 系列

    -

  • 配置

    低端

  • 输入类型

    非反相

  • 延迟时间

    600ns 电流 -

  • 峰

    12A

  • 配置数

    1

  • 输出数

    1 高端电压 -

  • 最大（自引导启动）

    -

  • 电源电压

    14.2 V ~ 15.8 V

  • 工作温度

    -20°C ~ 60°C

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    21-SIP 模块

  • 供应商设备封装

    模块

  • 包装

    散装

  • 配用

    BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT

  • 其它名称

    835-1063

LT1162ISW#TR供应商更多...

更新时间：2025-11-29 16:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    进口代理

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  • LT1166CS8#PBF

    www.58chip.com

    2022-5-23

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    SMD/SMT 开关稳压器 , TPS62823 开关稳压器 , SOT-23-6 开关稳压器 , 3.3 V 开关稳压器 , 5 V TO-263-5 LM2576 开关稳压器 , TPS61022 开关稳压器

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    描述 作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。

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    描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2

    2013-2-27

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