位置：首页 > IC中文资料第5724页 > LT1139CN
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CustomerSpecification Construction Diameters(In) 1)Component19X1PAIR a)Conductor18(16/30)AWGTinnedCopper0.047 b)Insulation0.016Wall,Nom.PVC0.079 (1)ColorCodeAlphaWireColorCodeA PairColorPairColorPairColor 1BLACK-RED4BLACK-BLUE7 BLACKORANGE 2BLACK-WHITE5BLACK-BROWN8RED-G | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 |  |   | |
CustomerSpecification Construction Diameters(In) 1)Component19X1PAIR a)Conductor18(16/30)AWGTinnedCopper0.047 b)Insulation0.016Wall,Nom.PVC0.079 (1)ColorCodeAlphaWireColorCodeA PairColorPairColorPairColor 1BLACK-RED4BLACK-BLUE7 BLACKORANGE 2BLACK-WHITE5BLACK-BROWN8RED-G | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 | | | |
HighAccuracy18-BitDigital-to-AnalogConverter HighAccuracy,18-BitDigital-to-AnalogConverter | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 |  | | |
1139ElectricalTapePolyesterFilm/GlassFilamentReinforcedTapewith 文件：47.28 Kbytes Page：2 Pages | 3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司 |  | | |
CUSTOMERPRODUCTSPECIFICATION 文件：77.46 Kbytes Page：1 Pages | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 | | |
LT1139CN产品属性
- 类型
描述
- 型号
LT1139CN
- 功能描述
Transceiver
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI/亚德诺 |
23+ |
589610 |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
||||
AnalogDevicesInc. |
19+ |
32-CDIPBottomBrazed |
56800 |
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票! |
|||
ADI/亚德诺 |
2123+ |
7813 |
一站式BOM配单 |
||||
ADI(亚德诺) |
22+ |
MSOP-8 |
6000 |
||||
ad |
2023+ |
原厂封装 |
50000 |
原装现货 |
|||
Analog Devices Inc. |
21+ |
32-BBDIP-H |
2500 |
正规渠道/品质保证/原装正品现货 |
|||
ADI |
22+ |
32CDIP Bottom Brazed |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ADI |
21+ |
32CDIP Bottom Brazed |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
AD |
23+ |
DIP |
17 |
||||
ADI/亚德诺 |
24+ |
DIP |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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LT1129MPST-3.3#PBF
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www.58chip.com
2022-5-23LT1129CQ-5
LT1129CQ-5
2021-7-15LT1129IQ
SOT-23-3LDO稳压器，1个输出DFN-8LDO稳压器，5ALDO稳压器，1个输出固定3.8VLDO稳压器，750mA5VSMD/SMTLDO稳压器，LT3080-1LDO稳压器
2020-7-28LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFETVDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
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