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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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1130 Differential Pressure Gauge FEATURES High static pressure capabilty (up to 6,000 psi) Ranges from 5 psi to 150 psi Reed switches optional for direct system control Superior magnets for smoother pointer motion Buna-N O-rings (others available) Piston actuator Dry or liquid filled case | ASHCROFT 雅斯科 |   | ||
Heyco짰 Original Strain Relief Bushings 文件：137.33 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
Electric Imp April: Basic prototyping 文件：183.38 Kbytes Page：2 Pages | Adafruit | | ||
Original Strain Relief Bushings 文件：136.21 Kbytes Page：1 Pages | Heyco | | ||
Low-Profile Oscilloscopes 文件：4.30336 Mbytes Page：17 Pages | KEYSIGHT 是德科技 | |
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LT1129MPST-3.3#PBF
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2023-3-20LT1166CS8#PBF
www.58chip.com
2022-5-23LT1129CQ-5
LT1129CQ-5
2021-7-15LT1129IQ
SOT-23-3 LDO稳压器，1个输出DFN-8 LDO稳压器，5 A LDO稳压器，1个输出固定3.8 V LDO稳压器，750 mA 5 V SMD / SMT LDO稳压器，LT3080-1 LDO稳压器
2020-7-28LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述 作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器
描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2
2013-2-27
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