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INFINEON
TO-252

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

相关企业:深圳市维尔达电子有限公司

Infineon

LINEAR
SOT-223

LINEAR

凌特

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LINEAR

LINEAR
SOT-223

LTCLinear Technology Corporation

凌特

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LTC

LINEAR
SOT-223

LINEAR_DIMENSIONSLinear Dimensions Semiconductor

Linear Dimensions Semiconductor

相关企业:深圳市创新迹电子有限公司

LINEAR_DIMENSIONS

LINEAR
SOT-223

LINERLinear Technology

线性技术公司

相关企业:深圳市创新迹电子有限公司

LINER

LT
SOT-223

LTCLinear Technology Corporation

凌特

相关企业:深圳市赛特兴科技有限公司

LTC

LT
SOT-223

LTRLATTRON

热特龙

相关企业:深圳市赛特兴科技有限公司

LTR

LT
SOT-223

LTWAmphenol LTW

安费诺亮泰安费诺亮泰企业股份有限公司

相关企业:深圳市赛特兴科技有限公司

LTW
更新时间:2024-6-22 13:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
LT
21+
SOT-223
50000
全新原装正品现货,支持订货
LINEAR
2016+
SOT-223
6454
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
LT
2023+
SOT-223
5425
全新原厂原装产品、公司现货销售
LINEAR/凌特
21+
TO-223
9852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
LT
2020+
SOT-223
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
LINEAR/凌特
SOT223
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
LINEAR/凌特
SOT223
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
LT/凌特
2021+
S0T-223
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
LINEAR/凌特
23+
SOT223
50000
全新原装正品现货,支持订货
LT
23+
SOT-223
12800
正规渠道,只有原装!

LT1129IST-5.0芯片相关品牌

  • API
  • APITECH
  • BOARDCOM
  • crydom
  • Hitachi
  • IDT
  • LUGUANG
  • MOLEX4
  • NEC
  • POWEREX
  • SILABS
  • SUPERWORLD

LT1129IST-5.0数据表相关新闻

  • LT1129MPST-3.3#PBF

    LT1129MPST-3.3#PBF

    2023-3-20
  • LT1129CQ-5

    LT1129CQ-5

    2021-7-15
  • LT1129IQ

    SOT-23-3LDO稳压器,1个输出DFN-8LDO稳压器,5ALDO稳压器,1个输出固定3.8VLDO稳压器,750mA5VSMD/SMTLDO稳压器,LT3080-1LDO稳压器

    2020-7-28
  • LT1117CST-3.3#PBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱:yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生

    2020-4-18
  • LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器

    描述作者:LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护,防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFETVDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入,LT1158将自动关闭出现故障的事件,然后重试时,一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。

    2013-2-28
  • LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器

    描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压(HV)高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护,防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件,欠压积极拉锁定驱动器输出,以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠,即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本,目前有在一个24引脚PDIP或2

    2013-2-27