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位置：首页 > IC中文资料第831页 > LT1129IQ-5#TR

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
LT1129IQ-5

Micropower Low Dropout Regulators with Shutdown

文件：276.02 Kbytes Page：12 Pages

LINER

凌力尔特

LT1129IQ-5

Micropower Low Dropout Regulators with Shutdown

文件：175.19 Kbytes Page：16 Pages

LINEAR

LT1129IQ-5

Micropower Low Dropout Regulators with Shutdown

文件：182.16 Kbytes Page：16 Pages

LINER

凌力尔特

LT1129IQ-5

Micropower Low Dropout Regulators with Shutdown

文件：182.16 Kbytes Page：16 Pages

LINER

凌力尔特

LT1129IQ-5

400mV Dropout Voltage

文件：160.23 Kbytes Page：16 Pages

LINER

凌力尔特

LT1129IQ-5#TRPBF

封装/外壳：TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA 包装：管件 描述：IC REG LINEAR 5V 700MA 5DDPAK 集成电路（IC） 线性 + 开关稳压器

AD

亚德诺

LT1129IQ-5#TRPBF

封装/外壳：TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA 包装：管件 描述：IC REG LINEAR 5V 700MA 5DDPAK 集成电路（IC） 稳压器 - 线性

AD

亚德诺

LT1129IQ-5#TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    LT1129IQ-5#TR

  • 功能描述

    IC REG LDO 5V .7A DDPAK-5

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> PMIC - 稳压器 - 线性

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 稳压器拓扑结构

    正，固定式

  • 输出电压

    3V

  • 输入电压

    2.3 V ~ 5.5 V 电压 -

  • 压降（标准）

    0.035V @ 150mA

  • 稳压器数量

    2 电流 -

  • 输出

    150mA 电流 -

  • 限制（最小）

    300mA

  • 工作温度

    -40°C ~ 125°C

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    6-UFDFN 裸露焊盘，6-TMLF?

  • 供应商设备封装

    6-TMLF?（1.6x1.6）

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1104(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    576-3018-6

LT1129IQ-5#TR供应商更多...

更新时间：2025-8-10 9:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市卓越微芯电子有限公司
LT1129IQ-5
Linear
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LT1129IQ-5#TR芯片相关品牌

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    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18

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    描述 作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。

    2013-2-28

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    描述 在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridge N沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压（HV）高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护，防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件，欠压积极拉锁定驱动器输出，以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠，即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本，目前有在一个24引脚PDIP或2

    2013-2-27

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