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更新时间:2024-6-22 10:20:01
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LT1129IQ-3.3V数据表相关新闻

  • LT1129MPST-3.3#PBF

    LT1129MPST-3.3#PBF

    2023-3-20
  • LT1129CQ-5

    LT1129CQ-5

    2021-7-15
  • LT1129IQ

    SOT-23-3LDO稳压器,1个输出DFN-8LDO稳压器,5ALDO稳压器,1个输出固定3.8VLDO稳压器,750mA5VSMD/SMTLDO稳压器,LT3080-1LDO稳压器

    2020-7-28
  • LT1117CST-3.3#PBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱:yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生

    2020-4-18
  • LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器

    描述作者:LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护,防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFETVDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入,LT1158将自动关闭出现故障的事件,然后重试时,一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。

    2013-2-28
  • LT1160-Half-/Full-Bridge N沟道功率MOSFET驱动器

    描述在LT®1160/LT1162具有成本效益half-/full-bridgeN沟道功率MOSFET驱动器。司机可浮动上部驱动N沟道功率MOSFET关运作高电压(HV)高达60V的轨道。内部逻辑防止在拐弯处输入在半桥式功率MOSFET在同一时间。其独特的自适应保护,防止穿透电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。在低电源或启动条件,欠压积极拉锁定驱动器输出,以防止低功率MOSFET被部分打开。在0.5V的滞后允许运行可靠,即使慢变供应。该LT1162是一个LT1160双通道版本,目前有在一个24引脚PDIP或2

    2013-2-27