位置：首页 > IC中文资料 > LT1129CS85#TRPBF
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Linear | ETC |   | ||
Linear | ETC | | ||
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Linear | ETC | | ||
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Linear | ETC | | ||
Linear | ETC | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ADI |
24+ |
8-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch) |
3660 |
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LINEAR/凌特 |
21+ |
SOP8 |
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LINEAR/凌特 |
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LINEAR/凌特 |
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REEL |
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LT1129CS85#TRPBF数据表相关新闻
LT1129MPST-3.3#PBF
LT1129MPST-3.3#PBF
2023-3-20LT1129CQ-5
LT1129CQ-5
2021-7-15LT1129IQ
SOT-23-3 LDO稳压器，1个输出DFN-8 LDO稳压器，5 A LDO稳压器，1个输出固定3.8 V LDO稳压器，750 mA 5 V SMD / SMT LDO稳压器，LT3080-1 LDO稳压器
2020-7-28LT1117CST-3.3#PBF
深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18LT1158-半桥式N沟道功率MOSFET驱动器
描述 作者：LT1158单个输入引脚同步控制两个N-通道配置中的功率MOSFET的图腾柱。独特的自适应保护，防止贯通电流消除了所有在两配套要求的MOSFET。这极大地简化了高效率设计电机控制和开关稳压器系统。连续在LT1158电流限制回路调节短路顶端功率MOSFET的电流。高等教育启动电流是允许的MOSFET VDS的一样长不超过1.2伏。通过返回的故障输出到使输入，LT1158将自动关闭出现故障的事件，然后重试时，一个内部上拉目前已启用电容器充电。片上电荷泵开关在需要的时候顶部N沟道MOSFET的导通不断。特别电路确保顶侧栅极驱动器是安全的维持在PWM和DC操作之间的过渡。
2013-2-28LT1117-800毫安低压降正稳压器可调和固定2.85V，3.3V，5V
LT1117是一个积极的低压差稳压器设计提供高达800mA的输出电流。该设备是可在可调型和固定输出电压2.85V，3.3V和5V。 2.85V版本的设计特别要使用主动式终端的SCSI总线。所有内部电路设计工作低至1V输入输出差。保证电压差在800毫安最大为1.2V，在低负荷减少电流。芯片修剪调整参考/输出电压为± 1％以内。电流限制也修剪为了尽量减少对稳压器和压力在过载情况下的功率源电路。低调表面贴装的SOT - 223封装允许要在空间的应用程序中使用的设备 限。 LT1117规定最低输出10mF 电容稳定性。这个尺寸的输出电容器或通常包括在大多数稳压器设计。不像PNP型稳压器高达10％的输出
2013-1-18
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