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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=13.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
600VCoolMOS짧CEPowerTransistor 文件：1.01271 Mbytes Page：14 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |  | | |
600V0.28ohmN-channelMOSFET 文件：1.16753 Mbytes Page：10 Pages | MGCHIP MagnaChip Semiconductor. |  | | |
600VN-ChannelMOSFET 文件：1.82232 Mbytes Page：8 Pages | MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司 |  | | |
600VN-ChannelMOSFET 文件：1.82232 Mbytes Page：8 Pages | MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MAGNACHIP/美格纳 |
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MAGNACHIP/美格纳 |
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MAGNACHIP/美格纳 |
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MAGNACHIP |
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MagnaChip Semiconductor |
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晶体管-FET/MOSFET |
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MAGNACHIP/美格纳 |
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TO-220F |
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MAGNACHIP |
ROHS |
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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MAGNACHIP/美格 |
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TO-220F |
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MAGNACHIP/美格纳 |
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2019-5-17
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