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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
LSE60R280HT | 高压超结VDMOS | LONTEN 龙腾半导体 |   | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 13.8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.28Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC | ISC 无锡固电 | | ||
600V CoolMOS짧 CE Power Transistor 文件：1.01271 Mbytes Page：14 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
600V 0.28ohm N-channel MOSFET 文件：1.16753 Mbytes Page：10 Pages | MGCHIP | | ||
600V N-Channel MOSFET 文件：1.82232 Mbytes Page：8 Pages | MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司 | | ||
600V N-Channel MOSFET 文件：1.82232 Mbytes Page：8 Pages | MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2021-4-27
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