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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=13.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

600VCoolMOS짧CEPowerTransistor

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

600V0.28ohmN-channelMOSFET

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MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MGCHIP

600VN-ChannelMOSFET

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MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半导体有限公司

MAPLESMI

600VN-ChannelMOSFET

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MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半导体有限公司

MAPLESMI
更新时间:2025-5-24 16:42:01
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