| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These logic level N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per | FAIRCHILD 仙童半导体 |   | ||
Integrated Circuit Dual 5.3W Audio Power Amplifier Circuit Description: The NTE7061 is a dual 5.3W (12V, 3Ω) power amplifier in a 12–Lead SIP type package. Dual amplifier circuits make stereo operation possible using one chip. Low quiescent current makes the NTE7061 ideal for use in battery operated applications such as radio cassette recorders. F | NTE | | ||
LOW INPUT OFFSET VOLTAGE C-MOS OPERATIONAL AMPLIFIER??????? 文件：163.73 Kbytes Page：4 Pages | NJRC 日本无线 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTEELECTR |
23+ |
NA |
305 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
NTE |
2450+ |
MN |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
NTE |
1636+ |
ZIP25 |
2235 |
代理品牌 |
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24+ |
188 |
||||||
NTE |
23+ |
39619 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
24+ |
N/A |
72000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
|||||
NTE ELECTRONICS INC |
2023+ |
SMD |
8053 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
|||
NTE Electronics, Inc. |
24+ |
/ |
3000 |
全新、原装 |
|||
NTE |
2023+环保现货 |
LED驱动器LINEAR |
4523 |
专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务 |
LS7061-S芯片相关品牌
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LS-C0-221-P0-C-B-000
优势渠道
2023-10-26LS1028AYN7HNA 处理器 - 专门应用
LS1028AYN7HNA 处理器 - 专门应用 Layerscape 64-bit Arm Cortex-A72, Dual-core, 800MHz, -40 to 125C, Security disabled, 3D GPU
2023-3-1LS4150GS18
进口代理
2022-7-22LS7631S
LS7631，SOP-8全新原装
2020-1-28LS4148-GS08公司大量原装正品现货/随时可以发货
瀚佳科技(深圳)有限公司 专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-5-17LS7231-S-模拟杂项
通过LS7234 LS7231是铁板一块，马鞍山系列亮度控制设计的集成电路白炽灯。这些IC的输出控制一盏灯的亮度控制的触发角双向可控硅串联灯。所有内部的时序与行频同步的一种手段内置的锁相环电路。输出发生一次每半周期线频率。在halfcycle输出可任意位置之间158°导通角为最大亮度和41°在提交立法会会议省览的导通角为最小亮度AC线频率。输出的定位控制SENS输入或高应用水平低在外部输入的水平。该IC还提供了一个缓慢的调光输入。通过申请此输入一个缓慢的时钟，灯可变暗，慢慢地，直到总关闭发生。此功能可以用在孩子的房间就寝。
2012-12-25
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