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Low Dropout, Low IQ, 1.0A CMOS Linear Regulator

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NSC

国半

Low Dropout, Low IQ, 1.0A CMOS Linear Regulator

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NSC

国半

80 Amp Rectifier 20 to 45 Volts Schottky Barrier

Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability

MCC

InGaAs PIN photodiode with preamp

InGaAs PIN photodiode with preamp Pigtail type, 1.3/1.55 µm, 156, 622 Mbps/1.25, 2.5 Gbps G8340/G8343/G8211/G8797 series are high-speed receivers specifically developed for 1.3/1.55 µm band optical fiber communications. These devices incorporate a high-speed, high-sensitivity InGaAs PIN photodi

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

Television IF amplifier and demodulator

文件:111.59 Kbytes Page:14 Pages

PHILIPS

飞利浦

更新时间:2026-3-18 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
25+
TO-252-3
8577
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
TI
25+
6-WSON(2.92x3.29)
7786
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
NS
0536+
TO-252
221
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
TI
22+
6WSON (2.92x3.29)
9000
原厂渠道,现货配单
TI(德州仪器)
2021+
WSON-6
499
NSC
25+
300
公司优势库存 热卖中!
TI/德州仪器
23+
6-WSON
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
nsc
24+
N/A
6980
原装现货,可开13%税票
TI(德州仪器)
26+
N/A
360000
只有原装 可配单
HARRIS
23+
QFN
6000
专业配单保证原装正品假一罚十

LP8340ILD-ADJAULF芯片相关品牌

LP8340ILD-ADJAULF数据表相关新闻

  • LP873220RHDRQ1

    LP873220RHDRQ1

    2023-3-28
  • LP87524JRNFRQ1

    适用于 AWR 和 IWR MMIC 的多相 4MHz、4A/1.0V + 2.5A/1.8V + 1.5A/3.3V + 1.5A/1.2V 降压转换器

    2022-4-20
  • LP6205SB6F

    www.jskj-ic.com

    2021-8-24
  • LP6230MSF

    LP6230MSF,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-4-10
  • LP7.62/03/903.2SNORBX原装魏德米勒端子,深圳现货

    只做原装,假一罚十,可开16%增值税票。主营:魏德米勒,TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO

    2019-4-2
  • LP8358-150毫安,UCap,低压差电源良好电压调节器

    概述 LP8358是一个μCap,精确的CMOS电压稳压器低电源良好输出的RDSON。它提供高达150mA,消耗10nA的典型关断模式。 LP8358输出级设计一个推挽输出更快的瞬态响应恢复。LP8358是低价值,低成本的优化工作陶瓷电容器。输出通常只需要1μF的输出电容的稳定性。使能引脚可连接到输入电压为电路板的设计工作变得更为容易。LP8358是专为便携式,电池供电设备小空间要求的应用。LP8358是提供一个5引脚SOT- 23封装。性能被指定为-40 ° C至+125 ° C温度范围,是在一个固定的1.2V。其他输出电压选项,请联络美国国家半导体公司。

    2013-1-19