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GaAs Infrared Light Emitting Diode

GaAs Infrared Light Emitting Diode For optical control systems Features ● High-power output, high-efficiency : PO = 6 mW (typ.) ● Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors : λP = 940 nm (typ.) ● Long lifetime, high reliability ● Thin side-view type package

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2.8V PCS UPCONVERTER

Product Description The RF2603 is a upconverter/pre-driver designed for PCS systems. The device features single-ended IF and LO inputs and single-ended RF output for ease of interface. The RF2603 is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process and i

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更新时间:2026-3-18 20:00:01
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    2019-12-3
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    2013-1-20