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High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available -

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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威世科技威世科技半导体

更新时间:2025-8-9 16:12:01
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    2013-1-20