型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
LN66L

GaAs Infrared Light Emitting Diode

GaAs Infrared Light Emitting Diode For optical control systems Features ● High-power output, high-efficiency :PO = 8 mW (typ.) ● Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors ● Good radiant power output linearity with respect to input current ● Wide directivity : θ = 25 deg. (typ.

PANASONIC

松下

LN66L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    LN66L

  • 制造商

    PANASONIC

  • 制造商全称

    Panasonic Semiconductor

  • 功能描述

    GaAs Infrared Light Emitting Diode

更新时间:2026-1-27 18:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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