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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 3.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

V-EA-Series - UL508 Manual Motor Controller

文件:561.95 Kbytes Page:2 Pages

ALTECH

500V,3A N-Channel MOSFET

文件:316.21 Kbytes Page:6 Pages

AOSMD

万国半导体

更新时间:2026-3-18 17:51:01
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