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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

V-EA-Series-UL508ManualMotorController

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ALTECH

Altech Corporation

ALTECH

500V,3AN-ChannelMOSFET

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AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD
更新时间:2025-7-6 20:00:01
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