型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

DUAL DIFFERENTIAL INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

Utilizing the circuit designs perfected for Quad Operational Amplifiers, these dual operational amplifiers feature low power drain, a common mode input voltage range extending to ground/VEE, and single supply or split supply operation. The LM358 series is equivalent to one−half of an LM324. These

ONSEMI

安森美半导体

Single Supply Dual Operational Amplifiers

Utilizing the circuit designs perfected for Quad Operational Amplifiers, these dual operational amplifiers feature low power drain, a common mode input voltage range extending to ground/VEE, and single supply or split supply operation. The LM358 series is equivalent to one−half of an LM324. These

ONSEMI

安森美半导体

Single Supply Dual Operational Amplifiers

文件:137.67 Kbytes Page:14 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Single Supply Dual Operational Amplifiers

文件:142.39 Kbytes Page:14 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Single Supply Dual Operational Amplifiers

文件:137.67 Kbytes Page:14 Pages

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-29 9:20:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
23+
SOP-8
113400
原装现货,价格优势,诚信经营
MOT
05+
SOIC
1000
全新原装 绝对有货
ON
24+/25+
SOP8
10000
100%原装正品真实库存,支持实单
17PB
SOP8
1
普通
ON
25+
SOP
3000
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
ON
2025
SO-8
2500
全新原装正品现货
ON
23+
SOP8
50000
全新原装正品现货,支持订货
ON
23+
SOP8
2384
正规渠道,只有原装!
MOT
23+
SOP/8
7000
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!
ON/安森美
25+
SOP-8
32000
ON/安森美全新特价LM358DR2G即刻询购立享优惠#长期有货

LMT358DR2G芯片相关品牌

LMT358DR2G数据表相关新闻

  • LMT85QDCKRQ1

    进口代理

    2023-10-8
  • LMT86QDCKTQ1

    原装正品现货

    2022-9-30
  • LMT86QDCKRQ1

    LMT86QDCKRQ1

    2022-4-7
  • LMS5258MF-1.2

    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13
  • LMSW65GM-F87中文资料PDF资料鸿泰信电子

    LMSW65GM-F87 原装现货

    2019-2-15
  • LMS5213-80毫安,uCap,低压差稳压器采用SC70

    该LMS5213是μCap,低压差稳压器具有非常低的静态电流,220μA典型,在80毫安负载。它还具有非常低的压降电压,通常为20mV在轻负载和80毫安330mV。该LMS5213提供高达80mA的电流消耗典型在关闭模式下的1μA。该LMS5213是优化与低价值,低成本陶瓷电容器。输出通常只需要0.47μF为稳定输出电容。使能引脚可连接为便于设备布局VIN。该LMS5213是专为便携式,电池供电小空间要求设备应用。该LMS5213可在节省空间的5引脚SC70包。性能指定为-40 ° C至+125° C温度范围,可在2.8V,3.0V和3.3V固定电压。对于其他输出电压选项,请联系美国国家半导体

    2013-1-20