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LMH6619MANOPB

LMH6618 Single/LMH6619 Dual 130 MHz, 1.25 mA RRIO Operational Amplifiers

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NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

DirectFET Power MOSFET

Description The IRF6619 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout

IRF

RF AMPLIFIER MODEL

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APITECH

N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device

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三洋

General-Purpose Switching Device Applications

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SANYO

三洋

Low Profile (0.7 mm)

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IRF

更新时间:2025-9-29 18:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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