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LM311HNOPB | LM111-N/LM211-N/LM311-N Voltage Comparator 文件：1.69378 Mbytes Page：31 Pages | TI 德州仪器 |   | |
Box Sealing Tape 文件：115.48 Kbytes Page：3 Pages | 3M | | ||
Ultra Low Bias Current Varactor Bridge Operational Amplifiers 文件：50.19 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
MINIATURE FUSES - 5x20 mm 文件：100.12 Kbytes Page：2 Pages | Littelfuse 力特 | | ||
SCREW TYPE SERIES 文件：361.6 Kbytes Page：1 Pages | DBLECTRO | | ||
Ultra Low Bias Current Varactor Bridge Operational Amplifiers 文件：984.54 Kbytes Page：5 Pages | INTRONICS | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
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National |
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NS |
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CDIP8 |
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原装正品,支持实单 |
LM311HNOPB规格书下载地址
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2024-9-27LM301AH/NOPB
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2020-10-16LM313，LM317AH/NOPB，LM317D2T，LM317LDR，LM317MDCYR
LM313，LM317AH/NOPB，LM317D2T，LM317LDR，LM317MDCYR
2020-3-9LM313-参考二极管
LM113/LM313参考二极管 一般描述 该LM113/LM313是温度补偿，低电压基准二极管。它们的特点是非常紧调控 工作电流超过了在广泛的范围内除了一个不寻常的低击穿电压和良好的温度 稳定。二极管是用合成的晶体管和电阻器在一个单片集成电路。因此，他们有 相同的低噪音和长期稳定，现代集成电路运算安培。此外，输出的基准电压只取决于关于在IC元件高度可预测性，因此他们可以制造和供应紧张的公差。 特点 低击穿电压：1.220V 动态阻抗0.3X从500 mA到20
2013-3-21LM299H-电压基准
LM199/LM299/LM399/LM3999 精密基准 一般描述 该LM199系列精密，温度稳定提供温度系数的因素单片齐纳二极管十比齐纳二极管更好的高品质的参考。构建在一个单芯片是温度稳定电路齐纳和积极的参考。主动电路降低齐纳的动态阻抗约0.5瓦，并允许齐纳操作超过0.5 mA到10 mA电流范围基本上没有电压或温度变化系数。此外，一个新的地下结构使齐纳低噪声和出色的长期稳定性比普通单片齐纳二极管。该软件包是配备有热盾，以减少功耗，提高温度加热器监管。LM199系列的引用是非常容易使用 和自由的，常常遇到的问题与普通齐纳二极管。
2013-3-21
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