型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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LM30P20Q | LM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件:822.73 Kbytes Page:6 Pages | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司 | ||
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P20Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge . This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS = -30V,ID = -20A RDS(ON) | NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司 | |||
Panels and Panel Accessories 文件:2.00209 Mbytes Page:16 Pages | PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团 | |||
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IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NS |
20+ |
TSSOP |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
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NSC |
2020+ |
4500 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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NS |
24+ |
DIP |
2300 |
绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电! |
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TI |
23+ |
TSSOP20 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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NS/国半 |
24+ |
DIP |
12000 |
原装正品 有挂就有货 |
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NS |
专业铁帽 |
TSOP |
25 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
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NS/国半 |
24+ |
DIP |
29414 |
只做原装 公司现货库存 |
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TE CONNECTIVITY / MEAS |
1445 |
11 |
公司优势库存 热卖中! |
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A |
24+ |
b |
585 |
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NS/国半 |
24+ |
TSSOP |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
LM30P20Q规格书下载地址
LM30P20Q参数引脚图相关
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2024-9-27LM301AH/NOPB
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2020-3-9LM313-参考二极管
LM113/LM313参考二极管 一般描述 该LM113/LM313是温度补偿,低电压基准二极管。它们的特点是非常紧调控 工作电流超过了在广泛的范围内除了一个不寻常的低击穿电压和良好的温度 稳定。二极管是用合成的晶体管和电阻器在一个单片集成电路。因此,他们有 相同的低噪音和长期稳定,现代集成电路运算安培。此外,输出的基准电压只取决于关于在IC元件高度可预测性,因此他们可以制造和供应紧张的公差。 特点 低击穿电压:1.220V 动态阻抗0.3X从500 mA到20
2013-3-21LM299H-电压基准
LM199/LM299/LM399/LM3999 精密基准 一般描述 该LM199系列精密,温度稳定提供温度系数的因素单片齐纳二极管十比齐纳二极管更好的高品质的参考。构建在一个单芯片是温度稳定电路齐纳和积极的参考。主动电路降低齐纳的动态阻抗约0.5瓦,并允许齐纳操作超过0.5 mA到10 mA电流范围基本上没有电压或温度变化系数。此外,一个新的地下结构使齐纳低噪声和出色的长期稳定性比普通单片齐纳二极管。该软件包是配备有热盾,以减少功耗,提高温度加热器监管。LM199系列的引用是非常容易使用 和自由的,常常遇到的问题与普通齐纳二极管。
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