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RF Power Field Effect Transistor

880 MHz, 10 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large-signal, common-source amplifier applica

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N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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更新时间:2025-8-8 17:13:01
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