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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NPN microwave power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT437A glued cap metal ceramic flange package, with emitter connected to flange. FEATURES • Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR • Interdigitated structur | Philips 飞利浦 |   | ||
NPN microwave power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT437A glued cap metal ceramic flange package, with emitter connected to flange. FEATURES Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR • Interdigitated structure | Philips 飞利浦 | | ||
NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT437A glued cap metal ceramic flange package, with emitter connected to flange. FEATURES • Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR • Interdigitated structur | Philips 飞利浦 | | ||
NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a FO-229 glued cap metal ceramic flange package, with emitter connected to flange. FEATURES • Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR • Interdigitated structure | Philips 飞利浦 | | ||
NPN microwave power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in an SOT437A glued cap metal ceramic flange package, with emitter connected to flange. FEATURES Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR • Interdigitated structure | Philips 飞利浦 | | ||
NPN microwave power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in an SOT437A glued cap metal ceramic flange package, with emitter connected to flange. FEATURES Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR • Interdigitated structure | Philips 飞利浦 | | ||
NPN microwave power transistor | ETC 知名厂家 | ETC | | |
NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor | ETC 知名厂家 | ETC | | |
NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor | ETC 知名厂家 | ETC | |
LLE18产品属性
- 类型
描述
- 型号
LLE18
- 制造商
PHILIPS
- 制造商全称
NXP Semiconductors
- 功能描述
NPN microwave power transistor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
40 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
PHI |
24+ |
TO-63S |
170 |
现货供应 |
|||
PHI |
24+ |
TO-63~s |
9630 |
我们只做原装正品现货!量大价优! |
|||
PHI |
NEW |
高频管 |
12300 |
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
PHI |
25+ |
3 |
公司优势库存 热卖中! |
||||
N/A |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
PHI |
23+ |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
PHI |
2025+ |
TO-63S |
4885 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
NS |
22+ |
MSOP-8 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
HONEYWELL |
2405+ |
n/a |
9845 |
十年芯路!诚信赢客户!合作创未来! |
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2020-12-15LLA215C70G475ME19L ，兴中扬专业销售
LLA215C70G475ME19L ，兴中扬专业销售
2020-10-8LM104-负调控
该LM104系列精密电压调节器的 可以通过编程由单一外部电阻提供 任何40V电压下降到零，而从经营 单无管制供应。他们还可以提供0.01％的 在使用一个单独的调节，浮动偏置电路 供应，其中输出电压仅受有限 对外通过击穿晶体管。虽然设计 主要是线性的，系列稳压器，该电路可用于 因为开关稳压器，电流调节器或在数 其它控制应用。典型的性能特点 主要有： 地下齐纳参考 1 mV的调控没有满载负荷 0.01％/ V电压调节 0.2
2013-1-23
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