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Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 1.8 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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DC-AC INVERTER UNIT 30 W SIXFOLD OUTPUTS WITH DIMMING FUNCTION

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Power Systems GmbH+Co.KG

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Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

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Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

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更新时间:2025-8-5 19:19:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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RENESAS/瑞萨
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